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摘要
微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式?；谡婵掌骷墓β史糯笃鳎?事装备的发展*扮演过重要角色，而且由于其功率与效率的优势，现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。后随着 GaAs 晶体管的问世，固态器件开始在低频段替代真空管，尤其是随着 GaN，SiC 等新材料的应用，固态器件的竞争力已大幅提高。本文将对两种器件以及它们竞争与融合的产物——微波功率?？椋∕PM）的发展情况作一介绍与分析，以充分了解水平，也对促进国内技术的发展有所助益。
1. 真空放大器件
跟固态器件相比，真空器件的主要优点是工作频率高、频带宽、功率大、效率高，主要缺点是体积和质量均较大。真空器件主要包括行波管、磁控管和速调管，它们具有各自的优势，应用于不同的领域。其中，行波管主要优势为频带宽，速调管主要优势为功率大，磁控管主要优势为效率高。行波管应用广泛，因此本文主要以行波管为例介绍真空器件。
1.1 历史发展
真空电子器件的发展可追溯到二战期间。1963 年，TWTA 技术在设计变革方面取得了实质性进展，提高了射频输出的功率和效率，封装也更加紧凑。1973 年，欧洲行波管放大器研制成功。然而，到了 20 世纪 70 年代中期，半导体器件异军突起，真空器件投入大幅减少，其发展遭遇困难。直到 21 世纪初，美国三军特设委员会详细讨论了功率器件的历史、现状和发展，指出真空器件和固态器件之间的平衡投资战略。2015 年，美国先进计划研究局 DARPA 分别启动了 INVEST，HAVOC 计划，支持真空功率器件的发展和不断增长的*事系统需要，特别是毫米波及 THz 行波管。当前真空器件已取得长足进步，在雷达、通信、电子战等系统中应用广泛。
1.2 研究与应用现状
随着技术的不断进步，现阶段行波管主要呈现以下特点。一是高频率、宽带、高效率的特点，可有效减小系统的体积、重量、功耗和热耗，在星载、弹载、机载等平台上适应性更强，从而在军事应用上优势突出。二是耐高温特性，使行波管的功率和相位随着温度的变化波动微小，对系统的环境控制要求大大降低。三是抗强电磁干扰和攻击特性，使其在高功率微波武器和微波弹的对抗中显示出坚实的生存能力。四是寿命大幅提高，统计研究显示，大功率行波管使用寿命普遍大于 5 000 h，中小功率产品寿命大于 10 000 h，达到武器全寿命周期。图 1 为 2000 年前产品的平均*故障时间（MTTF）统计，可以看出各类系统中真空器件的稳定性都有提升，空间行波管的 MTTF 更是达到数百万 h 量级，表现出*的可靠性。
图 1 真空功率器件 MTTF 概况
公开报道显示，美军**平台中真空器件被大量使用，是现役电子战、雷达和通信的主要功率器件。新开发的高频段、小型化行波管及功率?？榻徊酵贫咝阅茏氨傅牟欢铣鱿帧５湫陀τ冒ǔ翟胤揽辗吹枷低?、地基远程预警与情报系统、机载火控系统、无人机通信系统、电子战系统、空间以及卫星通信系统等。下面介绍当前正在研究和应用的行波管的几种重要技术。
1.2.1 行波管有源组阵技术
国外近几年主要在更高频段发展一系列的小型化行波管，频段覆盖 X，Ku，K，Ka，140 GHz 等，并不断在新技术上获得突破。国内经过近 10 多年的努力，行波管在保持大功率和高效率的前提下，体积减小了 1 个数量级，为有源组阵技术奠定了良好的基础。
行波管有源组阵的形式分为单元放大式和子阵放大式两种。与无源相控阵相比，其单个行波管的功率要求低，器件的可靠性和寿命相对较高。同时各通道相对独立，某通道出现故障不会影响到其他通道，因此系统的可靠性高。而且整个辐射阵面可以分多个区域独立工作，实现系统多目标、多任务的能力。与固态有源相控阵相比，作用距离更远，威力更大，且配套的冷却车和电源车相对短小精悍，系统机动性高，战场生存能力强。由于其全金属、陶瓷密封结构，在面对高功率微波武器时的生存能力更强。在相同的阵面功率时所需的单元数将少 1 个数量级，因此成本会大幅降低。与单脉冲雷达相比，其作用距离、分辨率、多目标、多任务、寿命及任务可靠性等指标会更好。目前，国内正在开展基于行波管的 Ku 波段稀布阵低栅瓣技术研究，以期在阵元间距 30 mm 的条件下实现−20 dB 的栅瓣。
另外，与行波管有源组阵相配套的小型化大功率环行器研究进展迅速。采用不等尺寸单元组成的非周期排列方式、径向等间距排列的非周期环形阵和子阵非规则排列等新型阵面技术能够很好解决大单元间距引起的栅瓣问题，这些共同保障行波管有源组阵的推进。
1.2.2 毫米波和 THz 行波管
5G 移动通信技术的发展，对 Ka 到 W 波段的毫米波功率放大器提出了需求。未来 5G 需要宽带接入一个地区，而又不能采用光纤的地方，则只能选择毫米波波段。THz 波由于具有频率高、宽带宽、波束窄等特点，使得其在雷达探测领域具有重大的应用潜力。但随着频率的升高，对器件的加工工艺要求也越来越高。近年来，微机械（MEMS）微细加工工艺的全面引入改善了传统工艺，使得真空器件工作频率进入到毫米波和 THz 频段，现有器件高已经达到 1 THz。短毫米波行波管近年来渐趋成熟，并初步形成了相关的系列产品，表 1 为国内外典型毫米波行波管产品。诺格公司在 2013 年成功研制出了 220 GHz 的折叠波导行波管功率放大器，国内中电第十二研究所以及中国工程物理研究院都开展了 220 GHz 行波管的研究工作，诺格公司在 2016 年还*将行波管工作频率提高到 1 THz。表 2 为一些 THz 行波管典型研究的测试结果。
1.3 发展趋势
1.3.1 更高频段
毫无疑问，工作频段高是 TWTA 的优势所在。在高频段，固态功率放大器（SSPA）的输出功率和效率均远低于 TWTA，因此高频化是 TWTA 的必然发展趋势。MEMS 微细加工工艺促使毫米波和 THz 频段的研究推进。空间行波管随着 Ku 波段的趋于饱和以及高清电视、多媒体通信等市场需求的驱动使得 Ka 波段的应用逐渐增多，而且有往 Q/V 频段迁移的趋势，已逐渐成为新的研究热点。而 THz 频段的通信具有*传输速率，随着波导技术的进步，在外太空探测中 TWTA 的应用潜力很大。
1.3.2 更高的效率
应用以来，各个波段行波管的效率均在不断提高。目前 L3 公司制造的 Ku 波段 88125H，效率可达 73%，为当前公开报道的高值。目前电源效率已经很高，普遍优于 90%，进一步提高效率将是一种研发挑战，因此主要靠提高行波管的效率以实现总效率值的增加。通过优化行波管螺旋节距分布就是一种提升效率的有效方法。
1.3.3 小型化行波管
TWTA 小型化技术在过去几十年中已有了显著的改进，而且行波管有源组阵等技术的发展推动着行波管小型化不断向前发展。另外 TWTA 的一个潜在的变化是增加 Mini-TWT 的使用。Mini-TWT 是传统 TWT 的小版本，是微波功率?？榈幕。湮薹ù锏礁呱淦凳涑龉β剩诩跣√寤耐币蔡岣吡诵剩绕湓谖佬峭ㄐ诺攘煊蛴跋熘卮蟆?/p>
2. 固态放大器件
固态器件，也就是半导体电子器件。与 TWTA 类似，SSPA 通常需配置集成电源，其不同在于，SSPA 使用场效应晶体管作为射频功率放大的主要器件，工作电压低，实现也更加容易。由于其单体输出功率较低，为了实现高功率放大，SSPA 需要将许多功率晶体管并联放置，从而实现输出功率的合成。固态器件具有体积小、噪声低、稳定性好的优点，缺点是应用频带低、单体输出功率小、效率低。
2.1 历史发展
二战以来，信息技术取得了飞速发展，发起并推动了第三次科技革命，深刻地改变了人们的生活和学习方式，也改变了世界格局和斗争形式。微电子技术是信息技术的核心，而半导体材料是微电子技术的基石。受半导体材料本身的限制，固态功率器件效率比较低，在较高频率下输出功率非常小，并且随着频率和带宽的增加，其输出功率电平显著下降，器件成本也大幅度上升。为满足无线通讯、雷达、航空航天等对器件高频率、宽带宽、大功率和高效率的要求，20 世纪 90 年代起，以 GaN 和 SiC 为代表的宽禁带新型半导体材料深刻地改变了固态功率放大器的性能，并引起了人们的关注和研究。
2.2 研究与应用现状
2.2.1 应用现状
公开信息显示，各家的产品主要还是集中在 L，S 和 C 波段。就空间应用 SSPA 来说，2016 年，马萨诸塞州航空航天技术研究所的研究表明，SSPA 实际上可用于高达 Ku 波段的频率，且该波段中 SSPAs 的比例从波音公司之前研究中的大约 1%增加到 6%，但更高波段则很少有应用了。一些的制造商的产品也可以大致说明 SSPA 的应用情况。NEC 公司的 SSPA，在 L 波段输出功率和标称增益为 55 W 和 61 dB，S 波段为 24 W 和 70 dB，C 波段则为 20 W 和 86 dB。Airbus Defense and Space 公司开发的 SSPA，L 波段和 S 波段器件的输出功率为 15 W，效率为 31%，标称增益为 67 dB，C 波段的输出功率为 20 W，效率为 37%，标称增益为 70 dB。
2.2.2 GaN 产品
GaN 材料作为宽禁带半导体的重要代表，以*的性能优势，在众多半导体材料中脱颖而出，引起了广泛的关注和研究。如表 3 所示，GaN 相比其它材料具有更*的特性：大的禁带宽度，是 GaN 材料大功率应用的根本所在；*的电子迁移率，决定了器件的 高工作频率和放大增益；高的饱和电子漂移速度，提高了频率特性，使其适于高频器件的应用；高的击穿场强，有利于器件应用于大功率信号，也有利于器件尺寸的减??；良好的热导率，可降低沟道温度，使得器件的工作性能稳定；低的介电常数，这可使器件尺寸增大以提高器件功率，也可提高器件频率特性；高的 Baliga 优值，使其特别适合于高频宽带大功率领域应用。
近年来，在微波发射系统中普遍应用多个微波单片集成电路（MMIC）进行功率合成以获得更高的输出功率。而采用 GaN 材料研制的 MMIC 单片功率密度高、电流小、效率高。国内已采用 Ku 频段 GaN 材料单片和一款波导合成网络研制出一种功率放大器，并通过多个该放大器进行功率合成，得到了更大的宽带输出功率，在*事及民用领域均可适用。另提出了一种基于等效电路参数多偏差统计模型的微波 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）功率放大器的设计方法，并利用统计建模方法验证了统计模型。采用此模型进行 Ku 波段 GaN HEMT 功率放大器设计，具有较高的漏极效率，模拟结果在统计上与测量结果一致。
2.3 发展趋势
GaN 和 SiC 等新材料优势明显，它们使得固态器件的功率、频率和带宽都得到了提高。SiC 的材料成本较高，这也成为阻碍其发展的一个因素，但应用前景广阔。GaN 技术正快速发展并逐步走向应用，未来还将继续向高功率和高效率改进，包括基于金刚石衬底提高散热能力和最大功率密度，采用新型场板结构改善晶体管电流崩塌效应以提高输出功率，采用堆叠结构提高功放电路电压摆幅和输出功率等。此外，它还将继续向更高频段突破，包括等比例缩小技术提升特征频率，克服击穿电压降低、短沟道效应、漏延迟、寄生 RC 延迟恶化等问题。更高集成度增强技术，电渗析法（ED）工艺技术及支持片上系统 SoC 技术等也是其发展方向。
3. 微波功率?？?/p>
如前所述，电真空器件单管功率大于固态器件，可以应用的频段也更高，但真空器件需要高压电源，体积和质量较大。而固态功率器件由于半导体本身材料限制，效率较低，而且不适用于高频率。在此情况下，微波功率模块（MPM）应运而生。MPM 作为一种新型的微波功率器件，其最大的特点在于充分利用了真空器件和固态器件的优点，并避免了其各自的缺点，从而获得高增益、低噪声、大功率、高效率等二者单独使用无法获得的优良性能。其集成电源的设计使用户不用直接面对高压，提高了安全性。
3.1 MPM 简介
MPM 将固态功放、小型化行波管及微型集成电源全部封装在一个小空间内，创造性地把固态和真空两种技术结合起来，在性能上远远地超过单独的固态和真空器件。如图 2 所示，固态放大器作为前级，为整个放大链提供低噪声和相当的增益，行波管为末级功放，提供大功率输出，集成电源提供 MPM 所需的各级电压，并为?？樘峁┛刂坪捅；すδ?。
图 2 MPM 的组成
MPM 将两种器件的优点有机结合，具备了大功率、高效率、小体积和低噪声等优点，可用于通信、电子对抗以及民用领域。对于机载和星载等应用平台，由于其对放大器的体积、质量等要求严格，MPM 也将具有很好的前景。另外，由于 MPM 应用非常方便，传统的 TWTA 也有被 MPM 替代的趋势。
3.2 MPM 研究现状
3.2.1 国外发展现状
MPM 的概念自 20 世纪 80 年代末*提出以来，相关技术已较为成熟。目前多家国外公司如 L3，Thales，Triton，CPI，Selex ES，MITEQ，dBcontrol，e2v 等，均推出了自己的 MPM 产品。如图 3 所示，可以看出不同品牌及型号的 MPM 已涵盖了 2～45 GHz 的范围，高已达到 W 波段和 G 波段，连续波输出功率高达 250 W，并呈现出低频?？楦吖β驶⒌凸β誓？楦咂祷奶氐?。
图 3 当前 MPM 频率功率分布
MPM 谐波抑制均控制在−11～4 dBc 之间，杂波控制在−60～40 dBc 之间。MPM 效率主要取决于功率器件和集成电源的效率，目前国外集成电源效率一直处于水平，MPM 产品效率均在 30%左右。在小型化上，各厂家 MPM 尺寸上严格把控，总体控制较为成熟，相对集中在 2～3 kg 之间。而在尺寸上由于散热、电磁兼容设计等不同，体积大小不一，部分产品达到了 MPM 小型化的，如 L3 公司推出的 Ka 频段 50 W 产品，其型号为 M1871，如图 4 所示，注册商标采用 NanoMPM，尺寸为 127 mm×76 mm×25 mm，且质量仅为 700 g。
图 4 M1871 MPM
3.2.2 国内发展现状
在我国，对于 MPM 的研究起步比较晚，直到 2001 年以后才正式开展 MPM 的研究。通过近 20 年的努力，在典型频段内，国内也成功研制了功率量级和尺寸与国外相当的 MPM 产品。当前，国内研发的 W 波段 MPM，实现连续波 50 W 的输出功率，增益 47 dB，带宽 6 GHz，尺寸 370 mm×180 mm×45 mm，?？樽苄食?10%，均衡放大组件能提供 16.5 dB 以上的增益，均衡量达到 7 dB。测试结果显示，在 6 GHz 带宽内输出功率大于 50 W，整管效率为 15.7%，集成电源能提供高 17 kV 的高压，该?？槁懔死状?、通信、电子对抗等系统对 W 波段宽带大功率输出的要求。中国电子科技集团公司第十二研究所开发的 4～18 GHz 50 W MPM，如图 5 所示，效率达 32%，但尺寸仅为 140 mm×86 mm×20 mm，其所用的小型化行波管尺寸为 135 mm×25 mm×16 mm，质量 135 g。中国航天科技集团公司五院西安分院正在研制 Ku 频段 500 W 脉冲双管 MPM，结构如图 6 所示，两支固态放大器、行波管和集成电源安装在一个盒体内，其中固态放大器安装于行波管上方，通过螺钉紧固在机壳上，固态放大器和行波管之间通过半钢电缆进行互联，尺寸为 310 mm×248 mm×60 mm，重量＜7 kg。
图 5 中国电子科技集团公司第十二研究所 4～18 GHz 50 W MPM
图 6 Ku 频段 500 W 脉冲双管 MPM
3.3 MPM 发展趋势
3.3.1 高频率与宽频带
向更高的频率推进，是 MPM 的发展方向。目前其工作频段已经达到了毫米波波段，我们将毫米波波段的微波功率?？橛殖浦撩撞üβ誓？椋∕illimeter Wave Power Module，MMPM）。L3 公司推出 W 频段 100 W 的 MPM—M2839，其工作于 92～96 GHz，重量为 6.3 kg，尺寸 375 mm×213 mm×83 mm。该公司又在 W 频段 MPM 的基础上，推出了 E 波段 MPM，该产品按工作频率分为 71～76 GHz 和 81～86 GHz 的两个型号，尺寸都是 376 mm×26.5 mm×7.6 mm。而满足带宽的要求是最初研制 MPM 的目的之一，随着技术的发展，目前已推出了多款工作频带 4.5～18 GHz 的 MPM 产品，可以在 2 个倍频程的带宽内提供 250 W 的最大输出功率。Thales 公司推出针对电子对抗应用的 MPM 产品，如图 7 所示工作频率 4.5～18 GHz 的 200 W MPM 产品 TH24512，以及工作频率 18～40 GHz 的 65 W 电子对抗用 MPM。
图 7 TH24512 MPM
3.3.2 小型化
实现 MPM 的小型化，首先要实现各组件自身的小型化。而行波管作为 MPM 的末级输出，影响关键。L3 公司推出的产品 M1870（Ku 波段）和 M1871（Ka 波段）。它们的功率分别为 40 W 和 50 W，尺寸分别为 140 mm×77 mm×25 mm、重 700 g 和 168 mm×104 mm×25 mm、重 1.13 kg，代表了 MPM 小型化的高水平。集成电源也是一个重要部分。信息工程大学在 2016 年研制的厚度不足 12 mm、效率达到 94%左右的用于 MPM 的 EPC 组件，如图 8 所示，在超薄设计上达到*水平，为 MPM 的小型化设计和阵列化应用奠定了基础。
图 8 信息工程大学的超薄 EPC 组件
3.3.3 标准化
MPM ?？榛纳杓莆笈可峁┝吮憷?，可使成本进一步降低，在模块化基础上生产的系列产品可根据不同场合要求进行设计，从而满足不同需求。如针对雷达应用的工作频段 13.5～18 GHz 功率 110 W 产品、针对数据通信应用的工作频段 14.5～15.5 GHz 功率 100 W 产品，均采用了统一的 2 250 mm×232 mm×35 mm 封装，系列产品标准化程度较高。另外，针对电子作战、卫星通信传输等宽频带高功率的要求，也在进行相应的标准化设计。
3.3.4 新型 MPM
随着各类信息系统和器件不断朝着微型化和集成化的方向发展，双通道 MPM、双模 MPM 和 T/R 型 MPM 等将成为研究重点。双通道 MPM 可同时实现两路干扰信号输出，也具备空间合成能力，功率密度较传统 MPM 提高近 1 倍。当一路行波管出现故障时，MPM 仍可在功率减半的条件下工作，提高 MPM 的冗余度。双模 MPM 同时实现准连续波和脉冲两种工作模式，实现新型的双模干扰体制，为小型化、高性价比的雷达干扰一体化奠定基础。T/R 型 MPM 使系统的天线可以收发共孔径，突破行波管收发功能，解决环型器频段限制和损耗问题。
MPM 作为一种全新的功率器件，将真空和固态器件进行了有效结合，其应用已经覆盖了民用等各个领域。针对应用环境的不同，MPM 也可通过合理选择器件的性能参数，以满足不同的需求。如满足数据传输和通信的应用，则提高线性度；满足星载和机载系统的应用，则增强效率；满足电子对抗系统的应用，则实现高增益。随着技术的发展，MPM 在无人机等平台上也将表现出更为重要的作用。
4. 总 结
功率放大器的新技术继续得益于固态和真空技术的共同进步。通过对商业化产品和工业级的原型器件的统计，得出了当代放大器可用峰值饱和输出功率随频率变化的曲线，如图 9 所示。图中将单个 GaN MMIC 的峰值饱和输出功率与单个行波管器件和集成的 MPM 进行比较，可以看到，大于 50 dBm 的输出功率水平代表了毫米波频率范围内商业器件性能的前沿。特别是 MPM 适用于小体积、轻质量、大功率、低成本（SWaP-efficient）等高性价比应用平台。
图 9 真空、固态及 MPM 新饱和输出功率随频率变化图
5. 结 论
本文首先分别介绍了真空和固态放大器件的组成和特点，然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势。而后引出了两种器件相结合的产物——微波功率?？椋⒅氐憬樯芰宋⒉üβ誓？榈牟毯偷鼻肮谕獾姆⒄棺纯?，并对未来的发展趋势进行了分析和预测。最后总结了当前三种器件的功率水平。
总之，真空和固态器件各有特点，应根据具体应用场合和工作频段，做优选用。显然，在高频段上真空器件优势明显，是实现毫米波、THz 功率的有效途径，因此需求巨大，应继续拓展。而在低频段上由于 GaN 等新材料的应用，SSPA 占据着统治的地位，未来仍然会是研究的热点。MPM 则集成了二者的优点，一方面解决了真空器件“加电难”的问题，另一方面又解决了固态器件在高频段难以达到高功率的问题，因此必然会成为各个领域研究应用的重点。我国的 MPM 也要在充分学外先进技术的基础上，坚持小型化、标准化，并向高频和宽带方向发展，不断改善薄弱环节，增强工艺水平，实现产品的自主可控。
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